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顯影液 無需表面活性劑 紫外固化 厚膜 正性 光刻膠 各種顯影工藝 puddle Dip 效果

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最小起訂≥10 公斤

供貨總量666 公斤

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更新日期2021-09-17 10:05

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商品信息

基本參數

品牌:

未填

所在地:

廣東 深圳市

起訂:

≥10 公斤

供貨總量:

666 公斤

有效期至:

長期有效

材料:

正性 光刻膠

材質:

各種顯影工藝
詳細說明
材料 正性 光刻膠
材質 各種顯影工藝
產地 深圳
封裝 無需表面活性劑
類型 顯影液 無需表面活性劑 安智 AZ400K AZ300MF 厚膜 正性 光刻膠 各種顯影工藝 pud
批號 安智 AZ400K AZ300MF
特性 顯影液 無需表面活性劑 安智 AZ400K AZ300MF 厚膜 正性 光刻膠 各種顯影工藝 pud
形狀 厚膜
用途 效果好
種類 顯影高 清晰度高
溝道類型 puddle Dip
品牌 深圳啟耀光電
型號 顯影液
加工定制

集成電路制造中利用光學- 化學反應原理和化學、物理刻蝕方法,將電路圖形傳遞到單晶表面或介質層上,形成有效圖形窗口或功能圖形的工藝技術。隨著半導體技術的發展,光刻技術傳遞圖形的尺寸限度縮小了2~3個數量級(從毫米級到亞微米級),已從常規光學技術發展到應用電子束、 X射線、微離子束、激光等新技術;使用波長已從4000埃擴展到 0.1埃數量級范圍。光刻技術成為一種精密的微細加工技術。光刻技術是在一片平整的硅片上構建半導體MOS管和電路的基礎,這其中包含有很多步驟與流程。首先要在硅片上涂上一層耐腐蝕的光刻膠,隨后讓強光通過一塊刻有電路圖案的鏤空掩模板(MASK)照射在硅片上。被照射到的部分(如源區和漏區)光刻膠會發生變質,而構筑柵區的地方不會被照射到,所以光刻膠會仍舊粘連在上面。接下來**是用腐蝕性液體清洗硅片,變質的光刻膠被除去,露出下面的硅片,而柵區在光刻膠的保護下不會受到影響。隨后**是粒子沉積、掩膜、刻線等操作,直到**形成成品晶片(WAFER)。
 

.生產 正性 負性 光刻膠 PR 安智AZ系列 AZ6112 AZ6130  高感光度 高產出率 很寬的膜厚范圍 適合干法刻蝕工藝 成分穩定 應用廣

2.生產 正性 負性 光刻膠 PR 安智AZ系列 AZ3100  G線 I線通用 高附著性 適合干法濕法刻蝕工藝 成分穩定 應用廣

3.生產 正性 負性 光刻膠 PR 安智AZ系列 AZ1500 高感光度 高附著性 適合濕法刻蝕工藝 成分穩定 應用廣

4.圓片級封裝(WLP)用 正性 負性 光刻膠 PR 安智AZ系列 AZ50XT AZ10XT 高分辨率 高縱寬比 高附著性 電鍍工藝高耐受性 凸點UBM工藝 成分穩定 應用廣

5.圓形化襯底(PSS)用 正性 負性 光刻膠 PR 安智AZ系列 AZ GXR-601 G線I線通用 高感光度,高產出率 適合干法刻蝕工藝 成分穩定 應用廣

6.適合蒸鍍正性 負性光刻膠 安智AZ系列 AZ5200 AZ5214E 高分辨率 很寬的膜厚范圍 用于正/負反轉 lift-off工藝 穩定性好

7.生產 正性 負性 光刻膠 PR 安智AZ-P 高對比度 高感光率 高附著性 電鍍工藝耐受性好 成分穩定 可靠性高

8.顯影液 無需表面活性劑 安智 AZ400K AZ300MF 厚膜 正性 光刻膠 各種顯影工藝 puddle Dip 效果好 顯影高 清晰度高

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13.生產應用 LED行業 高壓芯片(HV)倒裝芯片(FC)正性 負性 光刻膠 lift-off工藝 高膜厚 耐高溫 蒸鍍 成分穩定 專業廠家

14.生產應用 LED行業 圓片級封裝(WLP) 正性 負性 光刻膠 凸點UBM工藝 高膜厚 耐高溫 電鍍工藝耐受性 成分穩定 專業廠家

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